三星拟将中国芯片工厂投资增至80亿美元 提高芯片产量
时间:2025-04-06 01:59:31 来源:一五一十网
导读:据外媒报道,星拟芯片三星电子公司拟将在中国芯片工厂的将中投资增加到80亿美元,以提高NAND闪存芯片产量。国芯

12月13日消息,片工据外媒报道,厂投产量三星电子公司拟将在中国芯片工厂的资增至亿投资增加到80亿美元,以提高NAND闪存芯片产量。美元
三星增加投资正值内存芯片价格有望于明年反弹之际,提高由于供应有限,星拟芯片市场对5G设备和网络的将中需求也在不断上升。三星是国芯全球最大的NAND闪存芯片制造商,这类芯片可以可用于移动设备、片工存储卡、厂投产量U盘和固态硬盘中。资增至亿
2017年,美元三星宣布将在三年内向位于西安的NAND闪存芯片工厂投资70亿美元。在这些投资进行之前,该公司曾向西安的一家测试和包装工厂投资108亿美元。三星对此拒绝置评。
三星在NAND闪存领域的竞争对手包括韩国SK海力士(SK Hynix)和美国美光科技(Micron Technology)以及日本东芝,几家中国企业也正试图进入内存领域,但它们至今尚未取得太大成功,还不足以与这些巨头竞争。
今年秋季,长江存储科技有限责任公司(YMTC)宣布,将开始大规模生产64层3D NAND芯片,这是多数领先行业企业遵循的基准。

12月13日消息,片工据外媒报道,厂投产量三星电子公司拟将在中国芯片工厂的资增至亿投资增加到80亿美元,以提高NAND闪存芯片产量。美元
三星增加投资正值内存芯片价格有望于明年反弹之际,提高由于供应有限,星拟芯片市场对5G设备和网络的将中需求也在不断上升。三星是国芯全球最大的NAND闪存芯片制造商,这类芯片可以可用于移动设备、片工存储卡、厂投产量U盘和固态硬盘中。资增至亿
2017年,美元三星宣布将在三年内向位于西安的NAND闪存芯片工厂投资70亿美元。在这些投资进行之前,该公司曾向西安的一家测试和包装工厂投资108亿美元。三星对此拒绝置评。
三星在NAND闪存领域的竞争对手包括韩国SK海力士(SK Hynix)和美国美光科技(Micron Technology)以及日本东芝,几家中国企业也正试图进入内存领域,但它们至今尚未取得太大成功,还不足以与这些巨头竞争。
今年秋季,长江存储科技有限责任公司(YMTC)宣布,将开始大规模生产64层3D NAND芯片,这是多数领先行业企业遵循的基准。
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